1.
RCA 液关键清洗
RCA critical clean
2.
最后步骤 HF 清洗
HF last clean
3.
臭氧去离子水关键清洗
Ozone critical clean
4.
可控 BOE 刻蚀
Controlled BOE etch
5.
光胶剥离(O3/APM 或 SPM/APM)
Photo resist Stripping(O3/APM 或 SPM/APM)
6.
聚合物后步刻蚀清洗(FEOL)
Post Etch(polymer Removal FEOL)
7.
氮化物刻蚀
Nitride Etch
 
 
 
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